Y no olvidemos que entre una pasada y otra, tomando al 1A y 1B juntos hay 8 días, en ese gap cualquier cosa puede pasar y no lo vas a ver. Hay que aprovechar esta mision civil y en todo caso aprender y guardar el know how para en algún futuro que no nos tengan tan agarrados de las balls, quizas podamos encarar un desarrollo de indole militar.
Puede que no estemos tan lejos del SAR banda X.
Ya hace tiempo en la misma pagina de la Conae entro de la serie
SARE microondas se implementará una constelación de satélites de tipo de
radar de apertura sintética (SAR) operando en banda X.
Y hay elementos para pensar que no se está tan lejos…
Presupuesto Conae 2019
-En lo que se refiere al Curso de acción “Desarrollos Tecnológicos de Avanzada”, hay que
tener en cuenta que las actividades de este Curso de Acción se llevan adelante, en el corto plazo, en el marco de las obras vinculadas con el
“Desarrollo Integral del Sector Espacial-Fase 1”, con financiación parcial de la CAF, mediante las cuales se realizan nuevos desarrollos de componentes de la aviónica de lanzadores y satélites y el desarrollo de nuevos materiales y procesos de producción orientados fundamentalmente a estructuras livianas para lanzadores,
como así también el desarrollo de procesos que se denominan “espacialización de componentes” a los efectos de poder transformar componentes electrónicos comerciales en componentes de la calidad espacial adecuada a las necesidades de CONAE para lanzadores y satélites, especialmente en el marco de la Arquitectura Satelital Segmentada.
-Finalizar con todos los desarrollos vinculados con generar
la capacidad de producir en el país, partes, componentes, subconjuntos y conjuntos completos de calidad espacial, los cuales se realizan con financiación parcial de la CAF (Decreto N° 2.259/12). Esto se relaciona con el desarrollo de receptores GPS, desarrollo de procesos de producción de materiales para la cámara de combustión de motores para lanzadores, desarrollo de compuestos y elementos pirotécnicos para satélites y lanzadores y desarrollo de procesos de conformación y soldadura de estructuras para lanzadores,
procesos de calificación de componentes electrónicos de calidad espacial y fabricación de partes y subconjuntos electrónicos
- Continuar con el diseño y construcción en el país de un navegador estelar, un conversor DC/DC
y un módulo transmisión-recepción para radar, para utilizarlos como carga tecnológico-operativa en los segmentos de la serie SARE. Con Financiación CAF.
Del Informe Peña surge q se avanza que del
módulo de recepción/transmisión para radar, se generaron procesos de licitación basados en especificaciones generales para misiones de CONAE y se evaluaron las propuestas recibidas…Los procesos de licitación del navegador estelar y del transmisor/receptor para radar
tuvieron también propuestas que se evaluaron y aprobaron técnicamente, los cuales serán adjudicados a futuro.
Que propuestas? Pueden ser las de los grupos de investigación RF MEMS y transistores HFET basados en GaN
Acá un trabajo que resume el trabajo del grupo RF MEMS
CIRCUITOS PARA APLICACIONES EN RADIOFRECUENCIA Y MICROONDAS∗GUSTAVO ARIEL MERLETTI
Esta tesis de doctorado se orienta al estudio y análisis de los componentes realizados con tecnología MEMS (Micro Electro-Mechanical Systems), en particular la actividad se focaliza en los desplazadores de fase MEMS
Los Desplazadores de fase forman el núcleo central de este tipo de antenas y es mediante la programación o control de ellos que se puede ajustar electrónicamente la posición del lóbulo de radiación principal de las antenas que se han tomado como ejemplo paradigmático. [33]
En banda X se requieren desplazadores de fase compactos, de bajo costo y de múltiples bits. Por ejemplo, volviendo al escaneo del haz en antenas del tipo arreglo de fases, con control electrónico, se consigue cambiar la fase de la señal de RF en cada elemento irradiante. Para direccionar el haz, es necesario que los desplazadores de fase digitales ajusten y adapten la fase transmisora en los modos de transmisión y recepción.
1.3.
Contexto de investigaciones, proyectos y transferencia tecnológica En la ECyT (Escuela de Ciencia y tecnología),
existen algunos proyectos en el área de RF y microondas:
FONARSEC, entre la UNSAM y la empresa INFRACOM, desarrollo de amplificadores y atenuadores MMIC para TDA.
Servicio de asesoramiento y mediciones de RF para la empresa IMER en la caracterización de permitividades relativas de sus componentes.
Se realizaron, en varias ocasiones mediciones para CNEA (cadena de una antena Phased Array en banda X).
Caracterización y soportes para CNEA sobre un transistor de RF con tecnología de Nitruro de Galio (GaN).
Medición de osciladores controlados por tensión para VHF en banda L. Este trabajo estuvo solicitado por CITEDEF para su cliente INVAP. Esta tarea dio origen a una publicación con referato en el Congreso Argencon IEEE, aprobado.
https://ieeexplore.ieee.org/document/7585305/keywords#keywords
Otro trabajo del mismo grupo: Implementación de un inversor lógico utilizando tecnología de conmutación RF MEMS.
La tecnología de conmutadores RF MEMS ha encontrado muchas aplicaciones en los campos de comunicaciones y radar. Además de la obvia función de conmutación, hay muchos otros componentes básicos basados en MEMS de RF, como el cambiador de fase variable digital y el atenuador de variable digital, que han llamado la atención debido al rendimiento superior de RF de los conmutadores MEMS en comparación con las alternativas tradicionales de semiconductores [ 1-2]. Sin embargo, la tecnología MEMS presenta algunos inconvenientes que hacen que su uso sea menos atractivo. En este sentido, la alta tensión de extracción necesaria es una de las principales debilidades
. Dado que el cambiador de fase digital y el atenuador necesitan muchas líneas de control, el problema del alto voltaje de tracción se acentúa para estas aplicaciones
. Para reducir el número de líneas de control necesarias
, se necesita un inversor lógico integrado. https://ieeexplore.ieee.org/document/7585244
Respecto a la tecnología de Nitruro de Galio (GaN).Solo pude encontrar un resumen de una publicaión en la 101a Reunión de la Asociación Física Argentina.
Desarrollo de transistores HFET basados en GaN para sistemas de comunicación y radares Kristukat C,Ferreyra R A,Di Donato A, Bonaparte J, Escuela de Ciencia y Tecnología – UNSAM, CONICET, Centro Atómico Constituyentes, Comisión Nacional de Energía Atómica
Desarrollamos los procesos ‘front-end’ necesarios para la fabricación de transistores tipo HFET (hetero junction field effect transistor) basados en III-N (nitruro del grupo III). Debido a sus propiedades intrínsecas los semiconductores III-N y sus aleaciones son particularmente aptos para ser usados en dispositivos de alta potencia y alta frecuencia.
En este trabajo se presenta el diseño de transistores que permiten alcanzar frecuencias ‘cut-off’ hasta 10 GHz. Empezando con una oblea de 2“ con estructura epitaxial HFET se desarrollaron los procesos de metalización para la deposición de los contactos fuente, drenaje y compuerta. Se fabricaron dispositivos tipo ‘depletion mode’ con una corriente máxima fuente-drenaje cercana a los 500 mA por milímetro de ancho de compuerta y frecuencia ‘cut-off’ superior a los 5 GHz. Este desarrollo tecnológico es un paso importante hacia el desarrollo de dispositivos estratégicos para sistemas de comunicaciones satelitales y radares, que no se comercializan libremente por motivos de restricción de exportación por parte de los países fabricantes de esta tecnología.
Fuente: 101a Reunión de la Asociación Física Argentina
http://rafa.fisica.org.ar/wp-content/uploads/2018/10/AFA_2016_Libro_final_resumenes.pdf (Octubre 2016)
En una nota de Pagina 12 que ya se publicó en el foro: –¿En qué fase se encuentra hoy el desarrollo de este transistor? –El diseño y los estudios teóricos de simulación de este primer transistor se hicieron en la Argentina y el primer prototipo se hizo en Alemania;
ahora estamos por empezar la fabricación de una segunda serie de prototipos, esta vez en los laboratorios argentinos. ( Abril 2015).
Si vuelvo al informe de Peña donde dice que los procesos de licitación del navegador estelar y
del transmisor/receptor para radar tuvieron también
propuestas que se evaluaron y aprobaron técnicamente, por el “modus operandi” del eje CNEA-CONAE en I+D. me hace pensar que es la maduración y consolidación de un trabajo de años de estos diversos grupos, y estos desarrollos, del eje CNEA-CONAE en I+D.
Es esto un SAR BANDA X en gateras? Y Si no entiendo mal, no hay algo de lo que es tecnología AESA en estos desarrollos?
Saludos!
